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Closed-form expressions for the coupling capacitance of metal fill tiles in VLSI circuits

机译:VLSI电路中金属填充砖的耦合电容的闭合形式

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摘要

A closed-form formula is presented for the computation of the capacitive coupling of dummy metal tiles and their impact on other structures. It is obtained by an equivalent problem for which an analytical solution already exists. The proposed approach is faster than the electromagnetic methods whereas it can succeed the same level of accuracy. Comparative simulation results as obtained by two commercial tools show a close agreement with the proposed formulation suggesting its validity.
机译:提出了一种封闭式公式,用于计算虚拟金属砖的电容耦合及其对其他结构的影响。它是由一个已经存在分析解决方案的等效问题获得的。所提出的方法比电磁方法要快,而它可以达到相同水平的准确性。由两种商业工具获得的比较模拟结果表明,与拟议的配方非常吻合,表明其有效性。

著录项

  • 来源
    《Microelectronics journal》 |2013年第10期|953-958|共6页
  • 作者单位

    Dept. of Electrical & Computer Eng., Aristotle Univ. of Thessaloniki, Thessaloniki 54124, Greece;

    Dept. of Electrical & Computer Eng., Aristotle Univ. of Thessaloniki, Thessaloniki 54124, Greece;

    TIMA Laboratory(CNRS, Grenoble INP, UJF), 46 Avenue Felix Viallet, 38031 Grenoble Cedex, France;

    Dept. of Electrical & Computer Eng., Aristotle Univ. of Thessaloniki, Thessaloniki 54124, Greece;

  • 收录信息 美国《科学引文索引》(SCI);美国《工程索引》(EI);
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 eng
  • 中图分类
  • 关键词

    Metal tiles; Capacitance; Coupling; VLSI; Dummy fill; Noise;

    机译:金属砖;电容;耦合;超大规模集成电路虚拟填充;噪声;
  • 入库时间 2022-08-18 01:26:23

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