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机译:伪脉冲尾电流整形可降低CMOS LC振荡器的相位噪声
Univ Tehran, Sch Elect & Comp Engn, Coll Engn, Adv Circuits & Syst Data Commun Advancom Lab, Tehran, Iran;
Univ Tehran, Sch Elect & Comp Engn, Coll Engn, Adv Circuits & Syst Data Commun Advancom Lab, Tehran, Iran;
Cross coupled oscillator; Low phase noise; Tail current shaping; Pseudo-impulse current shaping; Peak detector; CMOS;
机译:使用新型尾电流噪声二次谐波滤波技术降低CMOS LC交叉耦合振荡器的相位噪声
机译:使用正弦尾流塑性技术的LC交叉耦合振荡器的相位降噪
机译:通过减少存储器尾部晶体管实现RF CMOS低相位噪声LC振荡器
机译:使用尾部噪声整形和G
机译:低压低相位噪声高频CMOS LC压控振荡器的新架构。
机译:28 nm CMOS LC振荡器电路拓扑中的相位噪声的比较分析:HartleyColpitts和共源交叉耦合差分对
机译:相互电感耦合的多相CmOs LC振荡器的相位噪声