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机译:铜基基底和催化剂沉积技术对PECVD低温下碳纳米管生长的影响
Universite de Nantes, IMN, UMR CNRS 6502, 2 rue de la Houssiniere, F-44322 Nantes, France;
carbon nanotubes (CNT); plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD); electrochemical deposition (ECD);
机译:使用低功率PECVD在玻璃基板上低温生长垂直排列的碳纳米管
机译:通过射频等离子体增强化学气相沉积法低温生长碳纳米结构(通过RF-PECVD低温生长碳纳米结构)
机译:通过醇催化化学气相沉积从Ru催化剂的单壁碳纳米管的低温生长
机译:通过使用二元催化剂系统的热化学气相沉积法在玻璃基板上低温生长碳纳米管
机译:薄膜催化剂和基材在碳纳米管的CCVD(催化化学气相沉积)生长上相互作用。
机译:低温催化剂活化剂:利用同步加速器辐射研究致密碳纳米管森林生长的机理
机译:无需预先沉积金属催化剂即可在Si基片上进行碳纳米管的图案生长
机译:一种新的碳纳米管生长催化剂沉积技术