机译:具有扩散势垒的硅化铂/硅接触结构的频率相关介电特性和电导率
Institute for Physics Problems, Baku State University, AZ 1148 Baku, Azerbaijan;
Physics Department, Faculty of Arts and Sciences, Cazi University, 06500 Teknikokullar, Ankara, Turkey;
Physics Department, Faculty of Arts and Sciences, Cazi University, 06500 Teknikokullar, Ankara, Turkey;
Physics Department, Faculty of Arts and Sciences, Cazi University, 06500 Teknikokullar, Ankara, Turkey;
silicide-silicon contact; Al-TiW-PtSi/n-Si schottky diodes; dielectric properties; electric modulus; ac electrical conductivity;
机译:室温下与频率和电压相关的Au / PVA(Bi掺杂)/ n-Si肖特基势垒二极管的介电特性和电导率
机译:频率和电压对Al-TiW-Pd_2Si / n-Si结构介电性能和电导率的影响
机译:频率和直流偏置电压依赖性介电性能和BATIO3-SRTIO3 /(SiO2)(X)纳米复合材料的电导率
机译:带有光栅的硅化铂肖特基势垒红外光电探测器:光学响应和与背偏置有关的偏振灵敏度
机译:微电子学中用于接触和互连的金属化的扩散研究:硅化铂和铜。
机译:通过多B值扩散加权成像通过分解高频电导率的细胞外电导率成像
机译:PrBaCoO纳米纤维电容器的介电特性,电模量和交流电导率的频率和电压相关曲线
机译:铍掺杂硅的性质研究特别强调扩散机制由电表面探针测定的深度依赖电导率曲线