...
机译:通过切换偏置溅射改善亚微米接触孔的台阶覆盖率
Hitachi Research Laboratory, Hitachi Ltd., 7-1-1, Omika-cho, Hitachi-shi, Ibaraki-ken 319-12, Japan;
step coverage; submicron large-scale integrated circuit; interconnection; bias sputtering reliability; silicon damage; contact hole; metallization; switching bias sputtering; W wiring; shadowing phenomenon;
机译:偏压溅射对薄钽基铜阻挡层台阶覆盖的影响
机译:偏压溅射对薄钽基铜阻挡层台阶覆盖的影响
机译:定向束靶(DBT)溅射中的径向台阶覆盖率得到改善
机译:底层对亚微米通孔中溅射铝晶粒结构的影响及其与台阶覆盖的关系
机译:探索MEMS开关触点中的热开关损坏和损坏机理。
机译:第三接触控制SAM-I核糖开关的开关
机译:沟槽和接触孔中钨LPCVD台阶覆盖的建模和优化