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机译:考虑到自然对流,在气相外延垂直反应器中生长过程中膜的性能变化与工艺过程参数的变化
Nizhny Novgorod State University, 23 Gagarin avenue, Nizhny Novgorod, 603950, (RUSSIA);
Nizhny Novgorod State University, 23 Gagarin avenue, Nizhny Novgorod, 603950, (RUSSIA),Nizhny Novgorod State University of Architecture and Civil Engineering, 65 Il'insky street, Nizhny Novgorod, 603950, (RUSSIA);
Gas phase epitaxy; Native convection; Increasing of homogeneity of films; Analytical approach for modeling;
机译:考虑到自然对流,在气相外延垂直反应器中生长过程中薄膜的性能变化与工艺过程参数的变化
机译:考虑自然对流以改善薄膜性能时,在立式反应器中优化气相生长
机译:Nd123薄膜液相外延的初始阶段:增长率对工艺参数的依赖
机译:生长极性方向对由金属蒸汽相外延生长的GaN薄膜光学性质的影响
机译:研究工艺参数变化对离子束溅射Sc2O3和HfO2薄膜的材料性能和激光损伤性能的影响。
机译:液相外延法生长光敏卟啉基MOF薄膜及其光电性能
机译:CVD材料处理。压力输出速率对垂直MOCVD反应器中GaN薄膜生长速率分布的影响。
机译:开发基于物理的alGaN / GaN HEmT有限元模型,该模型能够适应工艺和外延变化并使用多个DC参数进行校准(后印刷)