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机译:参数扩展对并联SiC VJFET的开关性能影响的建模
Acreo AB, Electrum 236, SE-164 40 Kista, Stockholm, Sweden;
EES/E2C, KTH-Royal Institute of Technology, Stockholm, Sweden;
EES/E2C, KTH-Royal Institute of Technology, Stockholm, Sweden;
Acreo AB, Electrum 236, SE-164 40 Kista, Stockholm, Sweden;
EES/E2C, KTH-Royal Institute of Technology, Stockholm, Sweden;
SiC; VJFET (vertical junction field effect transistor); parallel connection; medici;
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