机译:氧化物中平面缺陷的正电子an没
Department of Low Temperature Physics, Faculty of Mathematics and Physics, Charles University,V Holesovickach 2, CZ-18000 Prague, Czech Republic;
Department of Low Temperature Physics, Faculty of Mathematics and Physics, Charles University,V Holesovickach 2, CZ-18000 Prague, Czech Republic;
Department of Low Temperature Physics, Faculty of Mathematics and Physics, Charles University,V Holesovickach 2, CZ-18000 Prague, Czech Republic;
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lnstitutfurStrahlenphysik, Helmholtz-Zentrum Dresden-Rossendorf, Postfach 510119, D-01314 Dresden, Germany;
lnstitutfurStrahlenphysik, Helmholtz-Zentrum Dresden-Rossendorf, Postfach 510119, D-01314 Dresden, Germany;
zinc oxide; stacking fault; zirconia; grain boundary; planar defects; positron trapping;
机译:金属氧化物双层电容通过电泳沉积金属氧化物。 使用正电子湮没光谱法的制造,电学特性和缺陷分析
机译:正电子an没光谱研究钙掺杂氧化镁纳米粒子的内部缺陷结构
机译:<![CDATA [CDATA [过渡金属氧化物掺杂玻璃纳米复合材料的缺陷
机译:正电子湮灭在氧化物中的平面缺陷
机译:用PsARS法研究正电子与氮和一氧化碳碰撞中的正电子和ron an灭。
机译:掺有稀土元素Er3 +的碲化物玻璃70TeO2-5XO-10P2O5-10ZnO-5PbF2(X = MgBi2Ti)的正电子ni没寿命光谱法测量缺陷结构
机译:正电子An没光谱研究铝阳极氧化形成的界面缺陷
机译:正电子湮没法在其他方法中辐射缺陷和缺陷研究中的应用。 1981年12月至1985年12月期间的最终报告