机译:InN / AlN纳米层结构中与表面和界面有关的声子模式
Faculty of Physics. Sofia University, 5J. Bourchier blvd, 1164 Sofia, Bulgaria;
Faculty of Physics. Sofia University, 5J. Bourchier blvd, 1164 Sofia, Bulgaria;
Faculty of Medicine. Sofia University, 1 Koziak str, 1407 Sofia, Bulgaria;
nitrides; InN; interface phonon-polariton dispersion; raman scattering;
机译:InN / AIN纳米层中表面和界面声子-极化模的厚度依赖性
机译:半无限大晶体中伍兹结构的表面声子-极化模
机译:AlN,GaN和InN(001)表面电子能带结构
机译:inn / Aln纳米纳米中表面和界面声子 - Polariton模式的厚度依赖性
机译:Inn和IngaN Nanostrctures的光学分析= Optiant Analsite Von Ind Indoostructure
机译:纵横比驱动的高阶共振模态和近场分布的演变在局部表面声子极化纳米结构中
机译:[alN / GaN] 20和20中的界面声子模式 [al0.35Ga0.65N / al0.55Ga0.45N] 20 2D多量子阱结构