机译:硅中的氮:在500-750℃下扩散并与位错相互作用
Department of Materials, University of Oxford. Parks Road, Oxford, OX1 3PH, UK;
Department of Materials, University of Oxford. Parks Road, Oxford, OX1 3PH, UK;
MEMC Electronic Materials, viale Gherzi31,28100 Novara 1. Italy;
Department of Materials, University of Oxford. Parks Road, Oxford, OX1 3PH, UK;
silicon; nitrogen; diffusion; transport; dislocation; locking;
机译:氮在单晶硅中的扩散和与位错的相互作用
机译:硅中的扩散。三, (001)晶体中由于扩散引起的位错和位错增强的扩散而产生的多余空位
机译:通过位错锁定测量氮从浮动区硅中的扩散
机译:二氧化硅中氟的再分布和氮的掺入与硼扩散的相互作用
机译:硅锗/硅异质结构中位错/缺陷相互作用的原位透射电子显微镜研究。
机译:水稻中氮与硅之间的相互作用及其对褐飞虱Nilaparvata lugens抗性的影响
机译:铜和金中部分边缘位错的分子动力学研究:相互作用,结构和自扩散