机译:Na-N双受主掺杂的p型ZnO薄膜的沉积和p-ZnO:(Na,N)/ n-ZnO:Eu同质结的制备
Advanced Materials Laboratory, Department of Physics, National Institute of Technology, Tiruchirappalli 620 015, India;
Advanced Materials Laboratory, Department of Physics, National Institute of Technology, Tiruchirappalli 620 015, India;
ZnO; Thin films; Spray pyrolysis; Dual acceptor doping; p-Type conductivity; Homojunction;
机译:Li-N双受主在p-ZnO:(Li,N)薄膜中的脉冲激光沉积以及p-ZnO:(Li,N)/ n-ZnO同质结在Si(100)上的脉冲沉积
机译:掺杂As的p型ZnO薄膜的制备及ZnO纳米线插入的p-n同质结结构
机译:P-N双受体掺杂p型ZnO薄膜的制备与表征
机译:P-ZnO的双重受体掺杂和老化效果:(Na,N)纳米棒薄膜通过喷雾热解
机译:通过脉冲激光沉积开发基于ZnO的薄膜晶体管和掺磷的ZnO和(Zn,Mg)O。
机译:ZnF2掺杂的ZnO靶在不同溅射衬底温度下沉积F掺杂的ZnO透明薄膜
机译:掺杂浓度对由化学浴沉积法生长的内在N型ZnO(I-ZnO)和(Cu,Na和K)掺杂P型ZnO薄膜的光学和电性能的影响