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机译:基于晶粒内/晶界影响区的CNT / Al复合材料应变率依赖性脱位行为的建模(GI / GBAZ)
Department of Material Engineering Isfahan University of Technology Isfahan 84156-83111 Iran Department of Innovation Engineering University of Salento Lecce Italy;
School of Mechanical Electrical and Information Engineering Shandong University at Weihai Weihai 264209 China;
School of Mechanical Electrical and Information Engineering Shandong University at Weihai Weihai 264209 China;
Department of Innovation Engineering University of Salento Lecce Italy;
Flake powder metallurgy; Carbon nanotubes; Composites; Crystal plasticity; Finite element modelling;
机译:通过剪裁谷物内部/晶界影响的地带增强CNT / Al复合材料的力学性能
机译:基于位错密度演化和应变梯度的纳米晶材料应变速率相关行为的本构模型
机译:基于非弹性三维高应变率位错密度的有序金属间化合物晶界效应和破坏模式分析
机译:晶界滑动ND超塑性流动晶界脱位模型
机译:在介观场位错力学中对位错源和通过晶界的塑性流进行建模。
机译:基于位错的应变梯度晶体塑性与多相场模型相结合的晶粒边界强化研究
机译:基于脱位的应变梯度晶体塑性与多相场模型相结合研究晶界
机译:非立方晶体中的晶界位错。 II。 GBD模型应用于锌中<1010>倾斜边界的晶界面。