机译:含Tb中间层的一维GaN纳米棒的制备与表征
College of Physics and Electronics, Shandong Normal University, Jinan 250014, PR China;
College of Physics and Electronics, Shandong Normal University, Jinan 250014, PR China;
A. Nanostructures; B. Sputtering; B. Crystal growth; C. X-ray diffraction; D. Optical properties;
机译:氨化温度对带有Tb中间层的一维GaN纳米棒微观结构的影响
机译:氨化温度对带有Tb中间层的一维GaN纳米棒微观结构的影响
机译:具有立方GaN(111)外延中间层的GaAs(111)B上MOVPE生长的GaN层的表征
机译:GaAs(111)B与立方GaN(111)外延中间层的表征Movpe-生长的GaN层
机译:GaN-On-GaN垂直功率器件的电子显微镜表征= GaN-On-GaN垂直功率器件的电子显微镜表征
机译:具有石墨烯电流扩散层的有序ZnO纳米棒阵列/ p-GaN发光二极管的电致发光
机译:沉积在中温缓冲层上的Ni / GaN肖特基二极管上的低频噪声表征