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Incorporation of indium oxide into the growth of multiwall carbon nanostructures via a solid-liquid-solid mechanism

机译:通过固液固机理将氧化铟掺入多壁碳纳米结构的生长中

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摘要

In this study, the diffusion and incorporation of indium oxide nanostructure into the growth of multiwall carbon nanostructure (MWCN) is reported. MWCN was successfully grown on iron coated indium tin oxide (ITO) substrate via the chemical vapour deposition (CVD) of acetylene (C_2H_2). Indium oxide nanostructure that originated from ITO substrate is incorporated into the MWCN growth via a solid-liquid-solid mechanism. Under the present working temperature of 400 ℃, indium oxide has been potentially diffused and incorporated into the MWCN growth which brings to the perception of carbon growth on particular substrate. The type of transparent conducting oxide substrate used in this study has much contribution to the MWCN growth.
机译:在这项研究中,氧化铟纳米结构的扩散和掺入到多壁碳纳米结构(MWCN)的生长中。 MWCN通过乙炔(C_2H_2)的化学气相沉积(CVD)成功地在铁包覆的铟锡氧化物(ITO)衬底上生长。源自ITO基板的氧化铟纳米结构通过固液固机制被纳入MWCN生长。在目前的400℃的工作温度下,氧化铟可能已经扩散并结合到MWCN生长中,这使人们对特定基材上的碳生长有了感觉。本研究中使用的透明导电氧化物基底的类型对MWCN的生长有很大贡献。

著录项

  • 来源
    《Materials Letters》 |2013年第1期|29-31|共3页
  • 作者单位

    Low Dimensional Materials Research Centre, Faculty of Science, University of Malaya, Kuala Lumpur 50603, Malaysia;

    Newcastle Innovation Ltd., The University of Newcastle, Callaghan, NSW 2308, Australia;

    Low Dimensional Materials Research Centre, Faculty of Science, University of Malaya, Kuala Lumpur 50603, Malaysia;

  • 收录信息 美国《科学引文索引》(SCI);美国《工程索引》(EI);美国《生物学医学文摘》(MEDLINE);
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 eng
  • 中图分类
  • 关键词

    Carbon materials; Diffusion; Chemical vapour deposition;

    机译:碳材料;扩散;化学气相沉积;

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