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机译:具有堆叠前体薄膜的Cu2ZnSnS4(CZTS)薄膜化学浴沉积的新化学路线
Incheon Natl Univ, Res Inst Nat Sci, Dept Phys, Inchon 406772, South Korea;
Incheon Natl Univ, Res Inst Nat Sci, Dept Phys, Inchon 406772, South Korea;
Incheon Natl Univ, Res Inst Nat Sci, Dept Phys, Inchon 406772, South Korea;
Cu2ZnSnS4; Solar cell; Chemical bath deposition;
机译:通过堆叠堆叠前体薄膜通过SILAR方法制备的Cu2ZnSnS4(CZTS)薄膜的太阳能电池性能得到改善
机译:前驱体薄膜堆叠顺序对电化学沉积法制备的Cu_2ZnSnS_4薄膜性能的影响
机译:络合剂对均匀Cu2ZnSnS4薄膜化学浴沉积的影响
机译:叠层前驱体薄膜硫化对升温速率对Cu2ZnSnS4(CZTS)薄膜性能影响的研究
机译:金属有机化学气相沉积和原子层沉积方法,用于从二烷基酰胺前体中生长ha基薄膜,用于高级CMOS栅极堆叠应用
机译:使用Cu-Zn-Sn-O前体优化CZTSSE薄膜通过掺杂的CZTS薄膜制造的薄膜
机译:沉积时间对镀Mo的玻璃基板上通过电沉积途径获得的Cu2ZnSnS4(CZTS)薄膜的物理性能的影响