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机译:紫外线和室内光对多孔GaN薄膜使用光辅电化学蚀刻的影响
Sanming Univ Sch Informat Engn Sanming 365004 Peoples R China;
Sanming Univ Sch Informat Engn Sanming 365004 Peoples R China;
Sanming Univ Sch Informat Engn Sanming 365004 Peoples R China;
Shandong Univ Sch Microelect Jinan 250100 Peoples R China;
Porous materials; Semiconductors; Optical materials and properties; Structural; Corrosion;
机译:在通过电化学和光电化学蚀刻相结合的多孔GaN模板上生长的GaN膜和GaN / InGaN发光二极管的电学和结构特性
机译:在通过电化学和光电化学蚀刻相结合的多孔GaN模板上生长的GaN膜和GaN / InGaN发光二极管的电学和结构特性
机译:以离子液体为刻蚀剂的光辅助电化学刻蚀制备的多孔GaN光电极
机译:通过UV辅助电化学蚀刻方法形成和光学研究多孔GaN薄膜
机译:多孔硅的电化学制备和物理化学表征以及多孔二氧化硅的阳极膜。
机译:光辅助化学蚀刻后通过退火沉积的GaN基薄膜LED表面的纳米棒
机译:光辅助电化学刻蚀形成的GaN多孔纳米结构的结构与光电化学性质之间的相关性
机译:用离子束和随后的湿蚀刻构图GaN晶体薄膜