首页> 外文期刊>Materials Letters >Copper-based ternary chalcogenides thin films fabricated by PLD as potential thermoelectrics
【24h】

Copper-based ternary chalcogenides thin films fabricated by PLD as potential thermoelectrics

机译:PLD制备的铜基三元硫族化物薄膜作为潜在的热电材料

获取原文
获取原文并翻译 | 示例
       

摘要

Two promising thermoelectrics, copper-based chalcogenides, have been fabricated as thin films by Pulsed Laser Deposition. For the fabrication a single target (Cu3SbSe4) has been used for both materials, the deposition conditions dictating whether Cu3SbSe3 or Cu3SbSe4 is formed. The thin film structures thus obtained have been investigated by XRD and SEM/EDX. (C) 2019 Elsevier B.V. All rights reserved.
机译:通过脉冲激光沉积已将两种有前途的热电材料(铜基硫族化物)制成薄膜。为了制造,两种材料都使用了单个靶材(Cu3SbSe4),沉积条件决定了要形成Cu3SbSe3还是Cu3SbSe4。由此获得的薄膜结构已经通过XRD和SEM / EDX研究。 (C)2019 Elsevier B.V.保留所有权利。

著录项

  • 来源
    《Materials Letters》 |2019年第may15期|125-127|共3页
  • 作者单位

    Natl Inst Res & Dev Isotop & Mol Technol, 67 103 Donat St, Cluj Napoca 400293, Romania;

    Natl Inst Res & Dev Isotop & Mol Technol, 67 103 Donat St, Cluj Napoca 400293, Romania;

    Natl Inst Res & Dev Isotop & Mol Technol, 67 103 Donat St, Cluj Napoca 400293, Romania;

  • 收录信息 美国《科学引文索引》(SCI);美国《工程索引》(EI);美国《生物学医学文摘》(MEDLINE);
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 eng
  • 中图分类
  • 关键词

    Copper chalcogenides; Pulsed laser deposition; Thin films;

    机译:硫属铜化物;脉冲激光沉积;薄膜;

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号