机译:退火对化学合成CdS纳米晶体结构性能的影响
Department of Materials Science and Engineering, Institute of Advanced Materials, Inha University, 253 Younghyun-Dong, Inchon 402 751, South Korea;
chemical synthesis; capping agent; CdS; nano-crystallites; annealing; quantum size effect;
机译:空气退火对化学沉积CdSe纳米微晶结构,光学和电学性质的影响
机译:退火对化学合成CdS薄膜结构和光学性能的影响
机译:电化学合成的类金黄色CdSe_(0.6)Te_(0.4)的结构,光学和光电化学性质
机译:电化学水热法合成的MNO_2材料:结构参数和形态对电化学性能的影响
机译:原位热退火工艺对脉冲激光沉积制造CDS Cdte薄膜太阳能电池结构,光学和电性能的影响
机译:热退火对HFCVD合成高孔隙率A-WO3薄膜结构和形貌特性的影响
机译:退火温度对溶胶-凝胶法合成5-V尖晶石正极材料LiCr0.2Ni0.4Mn1.4O4的电化学和表面性能的影响