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机译:Ge离子注入Ge纳米晶体/ SiO_2纳米复合薄膜的介电工程:建模与测量
School of Materials and Energy, Guangdong University of Technology, Guangzhou 510006, PR China;
School of Electrical and Electronic Engineering, Nanyang Technological University, Singapore 639798, Singapore;
School of Electrical and Electronic Engineering, Nanyang Technological University, Singapore 639798, Singapore;
State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu 610054, PR China;
School of Materials and Energy, Guangdong University of Technology, Guangzhou 510006, PR China;
Dielectric engineering; Ge nanocrystal/SiO_2 nanocomposite; Ion implantation;
机译:由于生物纳米工艺用于低能离子注入,使用新型非晶硅超薄膜“纳米掩模”在SiO_2薄膜中的位置控制的Si纳米晶体
机译:电容电压重构技术测定Al纳米晶/ Al_2O_3纳米复合薄膜的静态介电常数
机译:包含通过离子注入和退火产生的Ge纳米晶体的SiO_2膜中的大电容-电压磁滞回线
机译:由Ge〜+植入SiO_2薄膜产生的GE纳米晶体的拉曼和HRTEM调查以及随后的高压退火
机译:薄二氧化硅薄膜中水扩散过程中注入的Oygen-18传输的核反应测量。
机译:HfO2 / SiO2叠层隧道电介质的SiN薄膜中离子注入能量对Ge纳米晶体合成的影响
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机译:基于超薄膜和CNT纳米复合材料的LED和光电池链式限制和电荷渗透的光收集聚合物的大型光电增强