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机译:通过两步电容-电压和电导-电压曲线来探测硅(111)上AlGaN / InGaN异质界面处的InGaN不相容性
Indian Inst Technol, Sch Comp & Elect Engn, Mandi 175005, India;
Indian Inst Technol, Adv Technol Dev Ctr, Kharagpur 721302, W Bengal, India;
Indian Inst Technol, Sch Comp & Elect Engn, Mandi 175005, India;
Indian Inst Technol, Adv Technol Dev Ctr, Kharagpur 721302, W Bengal, India;
PAMBE; Alloy inhomogeneity; Double heterostructure; HR-TEM; HR-XRD; CV; GV;
机译:两步生长的InGaN / GaN超晶格的界面改性为硅衬底上的基于InGaN的绿色LED制备层
机译:基于GaN / InGaN / AlGaN / InGaN / GaN的梯度成分的InGaN基蓝色发光二极管的载流子分布改善
机译:通过p-InGaN / n-GaN二极管的电容电压特性评估InGaN与GaN之间的价带不连续性
机译:在Si(111)衬底上生长的InGaN / GaN MQW中具有薄AlGaN中间层的高效蓝光LED
机译:平面和非平面InGaN量子阱的原子探针层析成像技术,用于节能固态照明
机译:分子束外延生长的InGaN / InN异质界面上的高迁移率二维电子气
机译:Algan / Ingan / GaN和Inaln / Ingan / GaN HEMTS的设计与分析,高功率宽带宽应用