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【24h】

昭和電工阪大の次世代半導体実装で成果

机译:昭和电工大阪大学的下一代半导体封装成就

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摘要

昭和電工が参画する大阪大学のプロジェクトは、SiCパワー半導体が300℃の高温域においても安定的に動作する基板構造を開発した。本プロジェクトは、耐熱性に優れたSiCパワー半導体の基板構造の開発を目的に、菅沼教授が中心となって推進する産学連携のプロジェクト。菅沼教授はアルミニウムの耐熱特性に着目、アルミ材料と実装技術を開発し、-40℃から300℃の温度サイクル条件下でも欠陥が生じない材料構造を実現した。
机译:昭和电工参与的大阪大学项目开发​​了一种衬底结构,该结构使SiC功率半导体即使在300°C的高温下也能稳定运行。该项目是由Suganuma教授领导的产学合作项目,旨在开发具有出色耐热性的SiC功率半导体的衬底结构。 Suganuma教授专注于铝的耐热性,开发了一种铝材料和安装技术,并实现了即使在-40°C至300°C的温度循环条件下也不会引起缺陷的材料结构。

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    《軽金属ダイジェスト》 |2016年第2271期|5-5|共1页
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