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Study on CMP Slurry and Technique of Silicon Dioxide Dielectric for ULSI

机译:用于超大规模集成电路的CMP浆料和二氧化硅电介质技术的研究

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摘要

SiO_2 is a kind of widely used dielectric material in ULSI and its chemical mechanical planarization (CMP) is one of the most difficult processes. In this paper, the CMP mechanism and the effect of abrasive on SiO_2 dielectric were analyzed; the different
机译:SiO_2是ULSI中广泛使用的介电材料,其化学机械平面化(CMP)是最困难的工艺之一。本文分析了CMP的机理以及磨料对SiO_2电介质的影响。不同的

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