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机译:用于超大规模集成电路的CMP浆料和二氧化硅电介质技术的研究
Institute of Microelectronics, Hebei University of Technology, Tianjin 300130, P. R. China;
SiO_2 dielectric; abrasive; removal rate; planarization;
机译:使用新型二氧化铈磨料对二氧化硅和氮化硅CMP的摩擦和去除速率的研究
机译:pH和下载量对二氧化硅介电CMP的影响
机译:超大规模集成电路中硅基板的最终抛光浆和工艺研究
机译:ULSI硅二氧化硅电介质CMP浆料与技术研究
机译:研究介电二氧化硅的化学机械抛光(CMP)过程中的界面相互作用。
机译:用显微拉曼光谱法与二氧化硅比较研究高κ介电层的拉曼光谱
机译:氮氧氮化硅栅极电介质中的氮工程对p-MOSFET负偏压温度不稳定性的影响:超快速I-DLIN技术研究