机译:感应耦合氟碳等离子体在接触孔蚀刻中反应离子蚀刻滞后的偏置功率依赖性
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机译:磁感应耦合等离子体中高纵横比接触孔的反应性离子刻蚀滞后研究
机译:蚀刻诱导的掺杂P型GaN的抗损伤及其通过低偏压电感耦合等离子体反应离子蚀刻的抑制
机译:在电感耦合等离子体反应离子蚀刻中的多步 - 偏压蚀刻来减少血浆诱导的N型GaN损伤
机译:平面光波电路装置制造上的氟碳等离子体玻璃蚀刻工艺的电感耦合等离子体
机译:在感应耦合等离子体反应器中研究碳氟化合物沉积和蚀刻对硅和二氧化硅蚀刻工艺的影响(使用三氟化甲基),并开发了用于研究等离子体与表面相互作用机理的反应离子束系统。
机译:硅晶片蚀刻速率特性具有突发宽度使用150 kHz带高功率突发电感耦合等离子体
机译:在优化的化学蚀刻条件下通过电感耦合等离子体和反应离子蚀刻形成独特的GaN结构
机译:电感耦合等离子体反应离子蚀刻(ICp-RIE):用于高分辨率图案转移的纳米加工工具