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机译:聚[偏二氟乙烯三氟乙烯]作为铁电层用于有机非易失性存储应用的金属/铁电/绝缘体/半导体结构的电学研究
Brandenburgische Technische Universitaet Cottbus, Angewandte Physik-Sensorik, K.-Wachsmann-Allee 17, 03046 Cottbus, Germany;
机译:使用聚偏二氟乙烯-三氟乙烯共聚物的金属-铁电绝缘体-半导体电容器在非易失性存储应用中的工作温度依赖性
机译:基于铁电聚偏二氟乙烯共聚物薄膜栅极的金属-铁电绝缘体-半导体结构在非易失性随机存取存储器中的电学性能
机译:化学处理对非易失性存储器件应用中铁电聚偏二氟乙烯-三氟乙烯共聚物电性能的影响
机译:金属铁电绝缘体半导体具有用于存储器应用的双层绝缘体的电气特性
机译:基于铁电Langmuir-Blodgett聚偏二氟乙烯共聚物薄膜的金属-铁电绝缘体-半导体结构的表征,用于无损随机存取存储器。
机译:电泳沉积法制备铁电聚偏氟乙烯-三氟乙烯共聚物薄膜
机译:具有非晶氧化物半导体的金属铁电半导体非易失性存储器中的聚偏二氟乙烯-三氟乙烯的铁电转换