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机译:使用30 keV电子束光刻技术以各种反电荷方案在绝缘表面上对PMMA进行纳米图案化
Department of Electrical and Computer Engineering, University of Alberta, Edmonton, Alberta T6G 2V4, Canada National Institute for Nanotechnology NRC, Edmonton, Alberta T6G 2M9, Canada;
Applied Nanotools, Inc., Edmonton, Alberta T6E 5B6, Canada;
Department of Electrical and Computer Engineering, University of Alberta, Edmonton, Alberta T6G 2V4, Canada;
Department of Electrical and Computer Engineering, University of Alberta, Edmonton, Alberta T6G 2V4, Canada National Institute for Nanotechnology NRC, Edmonton, Alberta T6G 2M9, Canada;
机译:使用30keV电子束光刻技术形成2 Tbit / in。〜2图案化介质的18nm间距超高密度细点阵列的可能性
机译:使用30 keV电子束光刻技术和剥离技术制备10纳米以下的Au-Pd结构
机译:电子束光刻技术在纳米图案上的表面引发聚合
机译:使用30-Kev-Electron束光刻和用于图案化介质的离子铣削制造30-NM倾斜的COPT磁点阵列
机译:通过电子束光刻以低于30 nm的分辨率图案化生物分子
机译:通过100 keV电子束光刻和电镀处理的高效率菲涅耳波带片用于硬X射线
机译:剂量对PMMA电子抗蚀剂的影响,以通过电子束光刻发展高纵横比和可再现的亚微米结构