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机译:UHV中热制备的硅(100)的近表面区域中的掺杂剂耗尽
National Institute for Nanotechnology, National Research Council of Canada, 11421 Saskatchewan Drive, Edmonton, Alberta, Canada, T6G 2M9;
University of Alberta, Department of Physics, 4-183 CCIS, Edmonton, Alberta, Canada, T6G 2E1;
University of Alberta, Department of Physics, 4-183 CCIS, Edmonton, Alberta, Canada, T6G 2E1 and National Institute for Nanotechnology, National Research Council of Canada, 11421 Saskatchewan Drive, Edmonton, Alberta, Canada, T6G 2M9;
机译:通过电子束光刻在氧化和还原环境中在氧化的硅和铝表面上制备的均匀银团簇的热稳定性
机译:GaN(0001)和GaAs(100)表面耗尽区中的电子散射研究
机译:烷基格氏试剂在(100)硅表面上的电化学和热接枝
机译:GaAs(100)的近表面耗尽区中时间分辨的载流子和声子动力学
机译:卤化物与钯(100)单晶表面的相互作用:UHV-EC研究
机译:在特高压MBE腔室中制备的Si(001)清洁表面上的相变:通过高分辨率STM和原位RHEED进行的研究
机译:退火对n型晶体(100)硅表面的非晶硅钝化影响的热,结构和电学研究
机译:通过保护性砷涂层的热解吸制备的Gaas(100)表面上的au和al肖特基势垒形成