机译:在AlGaN / GaN HEMT上Ta / Al / Mo / Au和Ti / Al / Mo / Au金属化的欧姆接触形成机理
Micro and Nanotechnology Laboratory and Department of Materials Science and Engineering, University of Illinois, Urbana—Champaign, Urbana, Illinois 61801;
机译:n-GaN和AlGaN / GaN外延层上退火的Ti / Al / Mo / Au欧姆接触的反应动力学和接触形成机理的差异
机译:AlGaN / GaN异质结构上含Si的Ti / Al / Mo / Au金属化中的非界面氮化物形成欧姆接触机理
机译:基于Ti / Al的Au-Free欧姆接触金属化的结构和电气研究AlGaN / GaN Hemts
机译:三种(111),蓝宝石,4H-SIC基板上的Algan / GaN Hemts中Ti / Al / Ta / Au欧姆接触的电性能和表面形态的比较优化
机译:用于AlGaN / GaN和InAlN / GaN二极管以及在硅(111)衬底上生长的高迁移率晶体管的CMOS兼容氧化钌肖特基接触的研究。
机译:AlGaN / GaN HEMT的优化Ti / Al / Ta / Au欧姆接触的电学表征和纳米级表面形貌
机译:用于AlGaN / GaN HEMT的优化Ti / Al / Ta / Au欧姆接触的电学表征和纳米级表面形貌