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机译:使用原位化学感应的AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管金属有机化学气相沉积工艺中的实时材料质量预测,故障检测和污染控制
Department of Materials Science and Engineering and Institute for Systems Research, University of Maryland, College Park, Maryland 20742;
机译:AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管金属有机化学气相沉积工艺中的原位化学传感,用于实时预测产品晶体质量和先进的工艺控制
机译:AlGa / V / GaN金属有机化学气相沉积工艺中的原位化学传感,可进行精确的膜厚计量和实时高级工艺控制
机译:具有低RF损耗的AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管的3C-SiC / Si(111)模板上的缓冲层的金属有机化学气相外延生长
机译:通过有机金属化学气相沉积法在Si(111)上制备高质量InAlN / GaN高电子迁移率晶体管
机译:在AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管上进行等离子增强化学气相沉积的氮化硅钝化的热稳定性。
机译:AlGaN / GaN金属-氧化物-半导体高电子迁移率晶体管中作为栅极电介质的氧化镓膜的原子层沉积
机译:AlN生长温度对原位金属有机化学气相沉积生长AlN / AlGaN / GaN金属-绝缘体-半导体异质结构场效应晶体管的陷阱密度的影响