机译:在CHF3等离子体中进行SiO2蚀刻期间,侧壁和底部蚀刻速率之间的交互关系(受侧壁角度影响)
Seoul Natl Univ, Sch Chem Engn, Kwanak Ku, Seoul 151744, South Korea;
Seoul Natl Univ, Inst Chem Proc, Seoul 151744, South Korea;
Ajou Univ, Dept Chem Engn, Suwon 442749, South Korea;
MOLECULAR-DYNAMICS SIMULATIONS; FLUOROCARBON PLASMA; CF4 PLASMA; ANGULAR-DEPENDENCE; SILICON DIOXIDE; FARADAY CAGE; REDEPOSITION; SURFACES; MICROTRENCH; DEPOSITION;
机译:在使用SF6,C4F8和O-2等离子体蚀刻多晶硅和碳氟化合物聚合物期间,底部和侧壁蚀刻速率对偏置电压和源功率的依赖性
机译:在使用CF_4等离子体的SIO_2蚀刻中,侧壁角度对底部蚀刻轮廓的影响
机译:在高密度CHF_3等离子体中,SiO_2蚀刻速率对受底部材料影响的侧壁角度的依赖性
机译:具有锥形侧壁的SiO2等离子刻蚀,用于薄膜封装
机译:在使用Langmuir探针和光发射光谱法的深反应离子刻蚀系统中,等离子体表征和刻蚀速率以及通孔侧壁角度相关。
机译:侧壁转移金属辅助化学蚀刻法制备超高纵横比( 420:1)Al2O3纳米管阵列
机译:以可控制的侧壁角度蚀刻二氧化硅