机译:半导体介质栅叠层中界面应变引起的自组织。 I.Si-SiO2界面处的应力消除
N Carolina State Univ, Dept Phys, Raleigh, NC 27695 USA;
LEVEL CONTROLLED INCORPORATION; NON-CRYSTALLINE SOLIDS; 2ND-HARMONIC GENERATION; ELECTRONIC-STRUCTURE; CHALCOGENIDE ALLOYS; TRANSITION REGIONS; SIO2/SI INTERFACE; ATOMIC-STRUCTURE; K DIELECTRICS; RANGE ORDER;
机译:半导体介质栅叠层中界面应变引起的自组织。二。 SiO2和其他栅极电介质之间的内部电介质界面处的应力消除
机译:高k栅堆叠中Si-SiO2和内部介电界面的键应变和缺陷
机译:应变诱导的半导体量子点的垂直自组织:计算研究
机译:用于高级CMOS器件的堆叠栅极电介质中电介质半导体和内部介电接口的机械和化学菌株最小化
机译:适用于未来规模化技术的高介电常数电介质和高迁移率半导体:氧化ha /锗CMOS器件的Ha基高K栅极电介质和界面工程
机译:二维半导体中确定性的应变诱导量子发射器阵列
机译:在介电门界面的有机半导体中形成双极形成