机译:基于Al0.25Ga0.75As / GaAs的拟态高电子迁移率晶体管的高选择性湿栅凹槽工艺研究
Sch Elect & Elect Engn, Ctr Microelect, Singapore 639798, Singapore;
FIELD-EFFECT TRANSISTORS; GAAS; HETEROSTRUCTURE; GAAS/ALAS; PLASMAS;
机译:采用介电辅助工艺的0.12μm双凹栅AlGaAs / InGaAs / GaAs拟态高电子迁移率晶体管的直流和微波特性比较研究
机译:GaAs / Al_(0.2)Ga_(0.8)As的非常高的选择性蚀刻,用于使用柠檬酸缓冲溶液的伪高电子迁移率晶体管(PHEMT)应用的栅极凹进工艺
机译:使用选择性湿式栅极凹陷的增强/耗尽型GaAs / InGaAs / AlGaAs伪非晶MODFET的工艺
机译:化学镀处理栅极的基于GaAs的伪高电子迁移率晶体管(PHEMT)的性能
机译:AlGaAs / InGaAs伪晶高电子迁移率晶体管的击穿行为和优化。
机译:AlGaN / GaN高电子迁移率氟处理和凹槽通过氟处理和凹陷栅极充电效果
机译:fT为200 GHz的50nm T门AlGaAs / InGaAs伪晶高电子迁移率晶体管的毫米波性能