机译:N,N'-不对称取代的1,3-二酮亚胺类化合物的易挥发铜(Ⅱ)络合物作为通过CVD或ALD沉积铜金属的前体
Materials Science and Engineering, Central Research and Development, DuPont, Experimental Station, Wilmington, Delaware 19880-0328;
机译:非氟化的挥发性1,2,3-二氢铜(I)作为通过原子层沉积进行铜金属沉积的前体
机译:氟化氨基醇盐Cu〜(II)配合物:用于沉积铜金属的新型CVD前体
机译:N-(二烷基氨基甲硫酰基)-硝基取代的苯甲酰胺的对称和不对称镍(II)络合物作为单源前体,用于通过ACVD沉积硫化镍纳米结构薄膜(vol 85,pg 267,2015)
机译:N,N'-不对称取代的1,3-ami基酸酯和1,3-胍基酸酯的分子结构对HfO_2薄膜前驱体的挥发性和热稳定性的影响
机译:铜前体在金属表面上用于原子层沉积(ALD)的表面反应性。
机译:在α-杂环-N4-取代硫代半卡巴腙的系列及其铜(II)配合物的拓扑异构酶IIα抑制和抗增殖活性金属化的作用
机译:氟化氨基醇盐Cu-II配合物:用于沉积铜金属的新型CVD前体
机译:5-三氟甲基四唑阴离子与一些二价过渡金属离子形成的配合物的研究。一些取代苯甲酸铜(Ⅱ)配合物的磁化学和光谱研究。具有取代的吡啶n-氧化物的铜(II)卤化物配合物