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Improved Precursor Chemistry for the Synthesis of Ⅲ-Ⅴ Quantum Dots

机译:改进的前体化学性质,用于合成Ⅲ-Ⅴ量子点

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摘要

The synthesis of Ⅲ-Ⅴ quantum dots has been long known to be more challenging than the synthesis of other types of inorganic quantum dots. This is attributed to highly reactive group-V precursors. We synthesized molecules that are suitable for use as group-V precursors and characterized their reactivity using multiple complementary techniques. We show that the size distribution of indium arsenide quantum dots indeed improves with decreased precursor reactivity.
机译:长期以来,人们一直认为Ⅲ-Ⅴ量子点的合成比其他类型的无机量子点的合成更具挑战性。这归因于高反应性的V族前体。我们合成了适合用作V组前体的分子,并使用多种互补技术表征了它们的反应性。我们表明,砷化铟量子点的尺寸分布确实随着前驱物反应性的降低而改善。

著录项

  • 来源
    《Journal of the American Chemical Society》 |2012年第50期|20211-20213|共3页
  • 作者单位

    Department of Materials Science and Engineering, Massachusetts Institute of Technology, 77 Massachusetts Avenue, Cambridge,Massachusetts 02139, United States;

    Department of Chemistry, Massachusetts Institute of Technology, 77 Massachusetts Avenue, Cambridge, Massachusetts 02139,United States;

  • 收录信息 美国《科学引文索引》(SCI);美国《工程索引》(EI);美国《生物学医学文摘》(MEDLINE);美国《化学文摘》(CA);
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 eng
  • 中图分类
  • 关键词

  • 入库时间 2022-08-18 03:13:41

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