机译:CMOS技术中的低相位噪声LC VCO设计
Institute of RF & OE-ICs, Southeast University, Nanjing 210096, China;
RF integrated circuit; CMOS technology; mixed-signal transistor; RF transistor; voltage controlled oscillator; phase noise;
机译:采用RC噪声滤波技术的5.8 GHz完全集成式低功耗低相位CMOS LC VCO
机译:5.18-7.42 GHz LC-VCO,亚阈值制度,低功耗低相位噪声和130nm CMOS技术的PVT变化的免疫力
机译:在65 nm CMOS技术中以1 / f〜2相位噪声性能进行LC-VCO设计优化
机译:在低成本CMOS技术上使用倒装芯片的2.45GHz低相位噪声LC VCO设计
机译:CMOS技术中低相位噪声压控振荡器(VCO)的比较研究。
机译:28 nm CMOS LC振荡器电路拓扑中的相位噪声的比较分析:HartleyColpitts和共源交叉耦合差分对
机译:关于多相LC CmOs VCO的相位噪声和相位误差性能