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机译:采用0.18μmCMOS技术的5-20 GHz 5位真延时电路
Integrated Radar Systems Lab., Kwangwoon University, Seoul, Republic of Korea;
Integrated Radar Systems Lab., Kwangwoon University, Seoul, Republic of Korea;
Microwave Embedded Circuit and Systems Lab., Chung-Ang University, Seoul, Republic of Korea;
Integrated Radar Systems Lab., Kwangwoon University, Seoul, Republic of Korea;
True time delay; CMOS; phased array antenna; beam squint; DPDT switch;
机译:用于UWB多天线系统的15–40 GHz CMOS实时延迟电路
机译:用于ULSI电路应用的0.18 / spl mu / m CMOS技术中互连参数的片上特性和时间延迟
机译:采用0.18μmCMOS技术的,具有130个参考周期建立时间的1.9 GHz ADPLL
机译:采用130nm SiGe BiCMOS技术的宽带110-170 GHz真时延电路
机译:基于0.18μMCMOS工艺的2GHz发射机设计及其线性化,以及基于0.25μM锗硅双极工艺的8 GHz收发器设计(采用GSML方法)。
机译:使用商业0.18μmCMOS工艺制造的带有环形振荡器电路的丙酮微传感器
机译:使用标准CMOS技术首先测量真正的电荷转移TDI(时间延迟集成)