机译:用于预测SiC MOSFET开关性能的改进分析模型
Beijing Jiaotong Univ, Sch Elect & Engn, Beijing, Peoples R China;
Beijing Jiaotong Univ, Sch Elect & Engn, Beijing, Peoples R China;
Beijing Jiaotong Univ, Sch Elect & Engn, Beijing, Peoples R China;
Analytical model; Parasitic elements; SiC MOSFET; Switching loss; Switching performance;
机译:改进开关模型的SIC MOSFET超低关断现象的研究
机译:功率MOSFET开关过程的真知灼见:一种改进的分析损耗模型
机译:用于切换SiC MOSFET模块瞬态过程的半胱氨酸半衰期分析模型
机译:基于分析开关损耗模型的高压SiC MOSFET Imax-fsw-dv / dt折衷评估
机译:1.2 kV 4H-SiC平面栅极功率MOSFET的设计,分析和优化,用于改进的高频切换
机译:4H-SIC双沟MOSFET采用分流异质结闸用于改善开关特性
机译:一种改进的分析模型,用于预测SiC MOSFET的开关性能
机译:提高用于高重复频率,短脉冲,高功率脉冲发生器的功率mOsFET的开关性能