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【2h】

An Improved Analytical Model for Predicting the Switching Performance of SiC MOSFETs

机译：一种改进的分析模型，用于预测SiC MOSFET的开关性能

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Mei Liang; Trillion Q. Zheng; Yan Li;
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年度 2016
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2. Investigation on Ultralow Turn-off Losses Phenomenon for SiC MOSFETs With Improved Switching Model [J] . Xie Yue, Chen Cai, Yan Yiyang, IEEE Transactions on Power Electronics . 2021,第8期

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