机译:22和16 nm节点中极端紫外光罩成像的光子通量要求
Lawrence Berkeley National Laboratory Center for X-Ray Optics Berkeley, California 94720;
Lawrence Berkeley National Laboratory Center for X-Ray Optics Berkeley, California 94720;
Lawrence Berkeley National Laboratory Center for X-Ray Optics Berkeley, California 94720;
Samsung San # 16, Banweol-Dong Hwaseong-City Gyeonggi-Do, Korea, 445-701;
extreme ultraviolet lithography; extreme ultraviolet; linewidth roughness; actinic mask inspection; reticle; imaging;
机译:22和16 nm节点中极端紫外光罩成像的光子通量要求
机译:极紫外光刻中16纳米半间距蚀刻多层掩模的掩模三维效应
机译:紧凑,交钥匙,窄带宽,可调谐和高光子通量极端紫外源
机译:22和16 nm节点中EUV掩模版成像显微镜的光子通量要求
机译:在极紫外光刻中光罩非平坦性引起的图像放置误差的研究。
机译:勘误表:HansA .; SchmidtP .; OzgaC .;哈特曼G。 HolzapfelX .; EhresmannA .; KnieA.紫外到可见光分散单光子检测可对各种样品中的基本过程进行高度灵敏的检测。材料201811869
机译:基于光致发光的极端紫外分划板上的颗粒污染检测