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【24h】

A low band gap silicon-containing polymer

机译:低带隙含硅聚合物

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摘要

Recently, the design and synthesis of low band gapnpolymers have attracted a great deal of attention duento their intrinsic electrical and optical properties asncompared to most conjugated polymers [1, 2]. Generally,npowerful approaches to low band gap systems are thatnone is the introduction of quinoid character into thenaromatic conjugated polymer backbone and another isnthe alternation arrangement of strong aromatic donor andnacceptor moieties along the polymer main chain [3–7].
机译:近来,由于低带隙聚合物的固有电学和光学性质与大多数共轭聚合物相比[1,2],其设计和合成引起了广泛的关注。通常,解决低带隙系统的最有效方法是,没有将醌类特征引入芳族共轭聚合物主链中,而将强芳族供体和受体部分沿聚合物主链交替排列[3-7]。

著录项

  • 来源
    《Journal of Materials Science 》 |2006年第8期| 2533-2535| 共3页
  • 作者单位

    Department of Polymer Science and Engineering Zhejiang University;

    Department of Polymer Science and Engineering Zhejiang University;

    Department of Polymer Science and Engineering Zhejiang University;

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  • 正文语种 eng
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