机译:ZrN金属化金属氧化物半导体和金属绝缘体金属器件的电学特性
Univ Mysore, Postgrad Ctr, Dept Elect, Hemagangothri 573220, Hassan, India;
Indian Inst Sci, Dept Instrumentat, Bangalore 560012, Karnataka, India;
THIN TIO2 FILMS; CHEMICAL VAPOR-DEPOSITION; DIELECTRIC FILMS; TA2O5 FILMS; SILICON; DIOXIDE; INTERFACE; OXIDATION; GAAS; SI;
机译:金属氧化物半导体器件中氮化钨栅的热稳定性和电特性
机译:通过高温退火改善HfO_xN_y门控金属氧化物半导体器件的电特性
机译:通过在HfTaSiON / Si界面加入HfON缓冲层来增强金属氧化物半导体器件的电特性
机译:使用HfON缓冲层增强HfTaSiON门控金属氧化物半导体器件的电特性
机译:p-n结和复杂的金属氧化物半导体器件的静电特性的变化热力学建模和实验验证
机译:优化四层垂直堆叠水平门 - 全面的结构和电气特性 - 全周Si NanosheLs设备
机译:以Al2O3,TiO2和Cr2O3为绝缘层的天线耦合金属-绝缘体-金属二极管(整流天线)的器件特性,用于能量收集应用
机译:具有快速生长的超薄siO2栅极绝缘体的mOs(金属氧化物半导体)器件的界面和击穿特性。