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机译:p-Si晶片上ZnO膜的形貌,微结构和电学检查
Department of Physics, Duzce University, 81620 Duzce, Turkey;
Department of Physics, Abant Izzet Baysal University, 14280 Bolu, Turkey;
Department of Physics, Abant Izzet Baysal University, 14280 Bolu, Turkey;
Department of Physics, Abant Izzet Baysal University, 14280 Bolu, Turkey;
Department of Physics, Abant Izzet Baysal University, 14280 Bolu, Turkey;
机译:镁掺杂水平和退火温度引起的高c轴取向ZnO:Mg薄膜和Al / ZnO:Mg / p-Si / Al异质结二极管的结构,光学和电学性质
机译:Mg掺杂水平和退火温度诱导高度C轴取向ZnO:Mg薄膜和Al / ZnO:Mg / P-Si / Al异质结二极管的结构,光学和电性能
机译:不同退火气氛对在p-Si(100)衬底上生长的ZnO薄膜的表面和微结构性能的影响
机译:Si晶片表面改性对等离子溅射制备的太阳能电池效率ZnO / P-Si薄膜的影响
机译:具有和不具有界面层的n-ZnO / p-Si单异质结太阳能电池的开发。
机译:Zr掺杂对原子层沉积ZnO薄膜光学电学和微结构性质的影响
机译:溶胶 - 凝胶法制备ZnO:sn薄膜的微观结构,光学和电学性质