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机译:锰双取代烧绿石型半导体氧化物,用于高温NTC热敏电阻应用
Materials Science and Technology Division, National Institute for Interdisciplinary Science and Technology (NIIST),Thiruvananthapuram 695 019, India;
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机译:锰取代的烧绿石型半导体氧化物的导电和弛豫的阻抗谱研究
机译:含烧绿石型半导体氧化物锰的电输运性质的阻抗分析。
机译:Zr取代SnO_2基NTC热敏电阻,适用温度范围广,性能稳定
机译:纤维型半导体氧化物中铁取代的影响:高温NTC热敏电阻应用的CACE_(0.6)MN_(0.4)SN_(0.4)SN_(1-X)FE_XNBO_(7-Δ)(x = 0,0.2,0.4和0.6)
机译:第一部分:含氧化锰的层状双氢氧化物材料:合成与表征。第二部分氧化锰八面体分子筛(OMS-2):合成,粒度控制,表征和催化应用。
机译:一种在氧化锌涂层316L SS上用锰替代羟基磷灰石涂层的创新方法可用于植入物
机译:P1.4 - 通过新型气溶胶沉积方法(ADM)在室温下产生的致密陶瓷NTC热敏电阻膜用于温度传感器应用