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Structural, optical and electrical properties of Zn-doped SnO_2 nanoparticles synthesized by the co-precipitation technique

机译:共沉淀技术合成Zn掺杂SnO_2纳米粒子的结构,光学和电学性质

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摘要

Nanometric size Zn-doped SnO_2 particles with Zn concentration varying from 1 to 6 % were prepared using the co-precipitation method. X-ray diffraction patterns show for all samples a typical rutile-type tetragonal structure of SnO_2 without any additional peaks from spurious phases. These results together with transmission electron microscopy analyses have shown that the size of the nanoparticles decreases with Zn doping down to 4 nm. According to UV-visible absorption measurements this decrease of particle size is accompanied by a decrease of the band gap value from 3.34 eV for SnO_2 down to 3.28 eV for 6 % Zn doping. The electrical conductivity of the system has been investigated between 473 and 718 K, in the 200 Hz-5 MHz frequency range, by means of impedance spectroscopy. The temperature dependence of the bulk conductivity was found to obey the Arrhenius law with activation energies of 0.74 eV for SnO_2 and 0.69 eV for 6 % Zn doping.
机译:使用共沉淀法制备了纳米尺寸的Zn掺杂的SnO_2颗粒,其Zn的浓度在1-6%之间。 X射线衍射图显示所有样品均具有典型的金红石型SnO_2四方结构,而没有任何来自杂散相的峰。这些结果以及透射电子显微镜分析表明,纳米颗粒的尺寸随着Zn掺杂降低至4 nm而减小。根据紫外可见吸收测量,这种粒径减小伴随着带隙值的减小,从SnO_2的3.34 eV下降到6%Zn掺杂的3.28 eV。已经通过阻抗谱在200 Hz-5 MHz的频率范围内研究了系统的电导率在473和718 K之间。发现体导电率的温度依赖性符合Arrhenius定律,其中SnO_2的活化能为0.74eV,Zn掺杂为6%时活化能为0.69eV。

著录项

  • 来源
    《Journal of materials science》 |2014年第5期|2066-2071|共6页
  • 作者单位

    UR Electrochimie et Environnement, Ecole Nationale d'Ingenieurs de Sfax, Sfax, Tunisia,Faculte des Sciences de Gabes, Cite Erriadh, Universite de Gabes, 6072 Gabes, Tunisia;

    Faculte des Sciences de Sfax, Laboratoire de l'etat solide, Sfax, Tunisia;

    Institut de Physique et Chimie des Materiaux de Strasbourg (IPCMS), UMR 7504 CNRS (UDS-ECPM), 23 rue du Loess, BP 43, 67034 Strasbourg Cedex 2, France;

    Institut de Physique et Chimie des Materiaux de Strasbourg (IPCMS), UMR 7504 CNRS (UDS-ECPM), 23 rue du Loess, BP 43, 67034 Strasbourg Cedex 2, France;

    Institut de Physique et Chimie des Materiaux de Strasbourg (IPCMS), UMR 7504 CNRS (UDS-ECPM), 23 rue du Loess, BP 43, 67034 Strasbourg Cedex 2, France;

    Faculte des Sciences de Sfax, Laboratoire de l'etat solide, Sfax, Tunisia;

    UR Electrochimie et Environnement, Ecole Nationale d'Ingenieurs de Sfax, Sfax, Tunisia,Faculte des Sciences de Gabes, Cite Erriadh, Universite de Gabes, 6072 Gabes, Tunisia;

    Institut de Physique et Chimie des Materiaux de Strasbourg (IPCMS), UMR 7504 CNRS (UDS-ECPM), 23 rue du Loess, BP 43, 67034 Strasbourg Cedex 2, France;

  • 收录信息 美国《科学引文索引》(SCI);美国《工程索引》(EI);美国《生物学医学文摘》(MEDLINE);
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  • 正文语种 eng
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