机译:通过将点缺陷参数与体性质相联系来模拟铟在铟中的扩散
Department of Materials, Imperial College London, London SW7 2AZ, UK Faculty of Engineering and Computing, Coventry University, Priory Street, Coventry CV1 5FB, UK;
Physics Department, V. Karazin Kharkiv National University, Svobody Sq.4, Kharkiv 61077, Ukraine;
机译:铜在锗中的扩散:具有整体性质的连接点缺陷参数
机译:通过将点缺陷参数与整体性质联系起来,对UO2和ThO2中的自扩散进行建模
机译:锗在铝中的扩散:点缺陷参数与整体性质之间的联系
机译:积极规模化的块体和SOI器件中缺陷,掺杂剂激活和扩散的物理建模:原子和连续方法
机译:控制块状磷化铟晶体中的缺陷:生长参数与晶体学和电子性能控制之间的关系。
机译:X射线光谱学和反应器参数对含缺陷的氧化铟氢氧化物纳米棒光催化二氧化碳加氢反应的电子研究
机译:铜在锗中的扩散:具有整体性质的连接点缺陷参数
机译:Versuche zur Diffusion von Indium in Germanium