机译:具有在不同温度下生长的InAs量子点的InGaAs / GaAs量子阱的发射和HR-XRD研究
ESIME- Instituto Politecnico Nacional, 07738 Mexico, D. R, Mexico;
ESFM- Instituto Politecnico Nacional, 07738 Mexico, D. F., Mexico;
ESIME- Instituto Politecnico Nacional, 07738 Mexico, D. R, Mexico;
机译:具有在不同温度下获得的InAs量子点的InGaAs / GaAs量子阱中的发射和应变
机译:在InGaAs / GaAs变质缓冲液上从MOVPE生长的InAs量子点以1.55μm的单光子发射
机译:在GaAs衬底上生长具有InGaAsSb应变减小层的InAs量子点发出的1.5μm发射光
机译:在不同QD的生长温度下准备的INAS量子点结构中的发射和HR-XRD研究
机译:Igaas量子点的相干壮观= koh?怨恨不同的区别和Ingaas Pollarts
机译:高衬底温度下通过液滴外延生长的单个InGaAs / GaAs量子点的单光子发射
机译:GaAs衬底上生长的变质InAs / InGaAs纳米结构在电信波长处的单量子点发射