机译:射频磁控溅射法制备GZO薄膜的表征及In / GZO / Si / Al二极管的电性能
Kirsehir Ahi Evran Univ Dept Phys TR-40100 Kirsehir Turkey|METU Ctr Solar Energy Res & Applicat GUNAM TR-06800 Ankara Turkey;
Ga-doped ZnO; Thin film; Gaussian distribution; Interface states;
机译:直流耦合射频磁控溅射在室温下射频功率比对GZO薄膜光学和电学性质的影响
机译:射频磁控溅射沉积具有TiO_2缓冲层的GZO薄膜的改进的电学和光学特性
机译:厚度对射频磁控溅射GZO薄膜的结构,光学和电学性质的影响
机译:退火时间对直流磁控溅射制造的GZO薄膜性能的影响
机译:RF溅射法制备Si / Ingan异质结太阳能电池:改进氮化铟镓(IngaN)薄膜的电气和光学性能
机译:玻璃和柔性聚酰亚胺基板上纳米级GZO薄膜的结构电学和光学性质的研究
机译:ITO层对RF磁控溅射沉积的GZO / ITO双层TCO薄膜电气和光学性能的影响,以应用于太阳能电池