机译:使用Co_1 / Ni_3(111)|| Gr_2 || Co_1 / Ni_3(111)结构作为磁隧道结的8 nm技术节点中的垂直STT_RAM单元
Department of Electrical Engineering, Ferdowsi University of Mashhad;
Department of Electrical Engineering, Ferdowsi University of Mashhad;
Integrated Circuits and Electronics Laboratory, Department of Engineering, Aarhus University;
P-STT-RAM; Perpendicular Magnetic Anisotropy PMA;
机译:通过分子束外延在CaF_2 / Si(111)上外延生长Fe_3Si / CaF-2 / Fe_3Si磁性隧道结结构
机译:Si(111)衬底上基于氮化物的Fe_3N / AIN / Fe_4N磁性隧道结结构的生长
机译:CaF_2 / Si(111)上Fe_3Si / CaF_2 / Fe_2 / Si隧道结结构的外延生长和磁性
机译:(111) - 磁隧道结中巨隧磁阻的理论预测
机译:多位单元垂直磁隧道结器件的可行性。
机译:Co2Fe6B2上下自由层结构之间基于MgO的垂直-电磁-隧道-结自旋阀的隧道-磁阻比比较
机译:分子束外延对CaF2 / si(111)上Fe3si / CaF2 / Fe3si磁隧道结结构的外延生长