机译:比较60 nm和96 nm厚的图案化坡莫合金薄膜对片上螺旋电感器性能的影响
CVEST, IIIT Hyderabad, Gachibowli 500032, Hyderabad, India;
CVEST, IIIT Hyderabad, Gachibowli 500032, Hyderabad, India;
Inductor; Permalloy; Domain wall; Thickness;
机译:电子束光刻技术制备的坡莫合金薄膜(10 nm厚和30-200 nm宽)纳米触点中的磁阻
机译:厚度受控的畴式坡莫合金的螺旋电感器的性能提升
机译:内置式接地片上螺旋电感器的宽带性能增强
机译:RFIC螺旋电感器上图案化的坡莫合金薄膜中磁畴受控形成的影响
机译:图案化坡莫合金薄膜的磁性反转。
机译:图案坡莫合金薄膜的形状关键特性
机译:1薄膜坡莫合金薄膜(10nm厚和30-200nm宽)纳米接触的磁电阻通过电子束光刻技术制造。