机译:低插入损耗和低色散损失InGaAsP量子阱高速电吸收调制器,适用于40 Gb / s超短距离,长距离和长距离应用
T-Networks Inc., Allentown, PA, USA;
indium compounds; gallium arsenide; III-V semiconductors; electro-optical modulation; electroabsorption; optical losses; MOCVD; optical communication equipment; optical fibre dispersion; semiconductor quantum wells; quantum well devices; low insertio;
机译:低功率驱动和低光损耗40 Gb / s电吸收调制器,使用自对准两步底切蚀刻波导
机译:高速(10 Gbit / s)和低驱动电压(1 V峰峰值)InGaAs / InGaAsP MQW电吸收调制器集成DFB激光器,具有半绝缘掩埋异质结构
机译:具有高光功率处理能力的高速InGaAsP / InGaAsP MQW电吸收调制器
机译:使用InGaAsP / InAlGaAs多量子阱的低损耗高速电吸收调制器
机译:用于高速数据传输的电吸收损耗调制VCSEL的开发。
机译:具有吸收性包层的介电管波导用于宽带低色散和低损耗太赫兹波导
机译:在低温和室温下高压下测量的1.3μmInGaAsP和1.5μmInGaAs量子阱激光器的辐射和俄歇复合
机译:低损耗无源InGaasp-Inp量子阱波导中的非简并四波混频波长转换