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Patent Issued for Power Semiconductor Devices, Structures, and Related Methods

机译:针对功率半导体器件,结构和相关方法的专利

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摘要

2013 MAR 20 (VerticalNews) -- By a News Reporter-Staff News Editor at Journal of Engineering --nAccording to news reporting originating from Alexandria, Virginia, by VerticalNews journalists, a patent bynthe inventors Darwish, Mohamed N. (Campbell, CA); Zeng, Jun (Torrance, CA); Blachard, Richard A.n(Los Altos, CA), filed on July 5, 2011, was cleared and issued on March 5, 2013.
机译:2013年3月20日(VerticalNews)-由Engineering Journal的新闻记者-Staff新闻编辑撰写--n根据VerticalNews记者源自弗吉尼亚州亚历山大市的新闻报道,该发明人是发明人Darwish的专利,Mohamed N.(加利福尼亚州坎贝尔) ;曾俊(Torrance,CA); 2011年7月5日提交的Blachard,Richard A.n(加利福尼亚州洛斯阿尔托斯)已于2013年3月5日获得批准并发布。

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